特許
J-GLOBAL ID：200903014066525682
減圧CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331473
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144746
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上での膜厚面内均一性を向上させる。【構成】 成膜中の温度制御を、反応管(アウター管)4の縦方向に5分割して反応管4の円周方向に4分割された計20ゾーンのそれぞれが独立制御可能なヒーター5,5...により行うことにより、半導体基板内の温度を部分的に制御して膜厚面内均一性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を所定の温度に保った反応管内に挿入し、材料となるガスを流して所定の圧力に保ち、基板に所望の膜を成膜する減圧CVD装置であって、反応管の円周方向に、独立に制御可能な複数のヒーターを備えたことを特徴とする減圧CVD装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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