特許
J-GLOBAL ID:200903014071766426

研磨用組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-039453
公開番号(公開出願番号):特開2003-238942
出願日: 2002年02月18日
公開日(公表日): 2003年08月27日
要約:
【要約】【課題】 銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたCMP加工用の研磨用組成物を提供する。【解決手段】 (A)研磨材、(B)カルボキシベンゾトリアゾール、(C)有機酸、(D)過酸化水素、および(D)水からなり、研磨材がフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる組成物であって研磨材の一次粒子が0.01〜0.2μmであり、研磨用組成物中の濃度が5〜30重量%であり、(B)成分の研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%である研磨用組成物である。
請求項(抜粋):
(A)研磨材、(B)式(1)で示されるカルボキシベンゾトリアゾール、(C)有機酸、(D)過酸化水素、及び(E)水を有する研磨用組成物であり、(A)研磨材が、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、及びコロイダルアルミナのうちの少なくとも1種類からなり、(A)研磨材の一次粒子が0.01〜0.2μmであり、研磨用組成物中の濃度が5〜30重量%であり、(B)式(1)で示されるカルボキシベンゾトリアゾールの研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(C)有機酸がクエン酸、酒石酸、リンゴ酸の中から選択された少なくとも一つ以上の酸であり、研磨組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(D)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜10重量%であることを特徴とする研磨用組成物。【化1】
IPC (4件):
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622
FI (4件):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D
Fターム (3件):
3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058DA17

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