特許

J-GLOBAL ID：200903014072712320

電力半導体モジュール

発明者： 木ノ内 伸一 ,  武藤 浩隆 ,  奥田 達也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053301
公開番号（公開出願番号）：特開2001-245479
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 交直流交換等に用いられる電力変換回路の電力半導体モジュールにおいて、還流ダイオードの逆回復電流によるエネルギー損失を低減し、定格電圧を高くする。【解決手段】 電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子とSiCからなる2個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した。

請求項（抜粋）：

電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子とSiCからなる2個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した電力半導体モジュール。

IPC (4件)：

H02M 7/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/5387

FI (3件)：

H02M 7/48 Z ,  H02M 7/5387 Z ,  H01L 25/04 C

Fターム (12件)：

5H007AA01 ,  5H007AA03 ,  5H007AA17 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC03 ,  5H007EA02 ,  5H007FA13 ,  5H007FA20 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化けい素ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132479   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
• 高耐圧ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-357444   出願人：富士電機株式会社