特許

J-GLOBAL ID：200903014074518482

薄膜形成装置およびその薄膜形成方法、及び自発光装置

発明者： ▲ひろ▼木 正明 ,  山崎 舜平 ,  石丸 典子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-061104
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345177
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 EL層を形成する材料を蒸着する際に、EL層を形成する材料を所望の位置に選択的に蒸着する手段を提供する。【解決手段】 EL層を形成する材料を蒸着する際に試料ボート111と基板110の間にマスク113が設けられており、マスク113に電圧をかけることによって、EL層を形成する材料の進行方向が制御され、所望の位置に選択的に蒸着することができる。

請求項（抜粋）：

EL材料を有する試料ボートと、電極が設けられた基板と、前記試料ボートと前記基板との間にマスクとを有し、前記EL材料を試料ボートで蒸気状態とし、蒸気状態の前記EL材料を前記試料ボートから前記基板に向かって放出し、前記電極に対応したマスクの開口部を通過させ、前記基板上の電極に蒸着させて、該電極上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/12 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/12 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 B

Fターム (16件)：

3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029BA62 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029EA01 ,  4K029EA07 ,  4K029HA03