特許

J-GLOBAL ID：200903014080567657

光反射性防止材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  梅村 光雄
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108961
公開番号（公開出願番号）：特開平7-295210
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 下記一般式(I)で示される4級アンモニウム化合物を含む光反射性防止材料。R14N+-R2 ...(I)例 テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドフォトレジスト層の上層としてこの光反射性防止材料からなる光反射防止膜を形成し、上記フォトレジスト層を露光した後に上記光反射防止膜を除去してパターンを形成する。【効果】 フォトレジスト層表面での反射光を低減し、レジスト層内での光多重干渉によるパターン寸法精度の低下を確実に防止することができ、しかも簡便で生産性が高い。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で示される4級アンモニウム化合物を含む光反射性防止材料。 R14N+-R2 ...(I)〔ここで、R1は同一又は異種の炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、R2はヒドロキシル基、炭素数1〜6のモノもしくはジカルボキシル基、フロロ基、水素化ジフロロ基、クロル基、ブロモ基、スルホニル基、水素化スルホニル基又はメチルカルボニル基を表す。〕

IPC (3件)：

G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 574