特許

J-GLOBAL ID：200903014082521662

集束イオンビーム装置

発明者： 杉山 安彦 ,  大井 將道
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051109
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251750
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 試料を高精度で加工することができる集束イオンビーム装置を提供する。【解決手段】 液体金属イオン源110の使用中にエミッション電流Ie が変動することを防止するために、電流計312の電流値Ie に応じて抑制電極114の印加電圧Vsup を制御する。電圧Vsup が変化すると、抑制電極114と引き出し電極115との間に寄生的に形成される静電レンズ200の光軸が変化して、イオンビームの照射位置がずれるので、この位置ずれを防止するために、抑制電極114の位置を水平方向にずらすことによってレンズ200の光軸を補正する。

請求項（抜粋）：

引き出し電極および抑制電極を用いてエミッタ電極の先端に発生させた集中電界により、前記エミッタ電極の先端に付着した液体金属から金属イオンを引き出し、この金属イオンをイオン光学系を用いて試料に照射する集束イオンビーム装置において、前記引き出し電極の電圧を固定し、且つ、前記エミッタ電極の電流が一定になるように前記抑制電極の電圧を制御する電圧制御手段と、前記抑制電極と前記引き出し電極との間に寄生する静電レンズの光軸の変化を補正するために、前記抑制電極の電圧変化に応じてこの抑制電極の位置を調整する位置調整手段と、を備えたことを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (6件)：

H01J 27/26 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/21 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01J 27/26 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/147 D ,  H01J 37/21 Z ,  H01J 37/317 D ,  H01L 21/88 Z

Fターム (10件)：

5C030DF04 ,  5C030DF08 ,  5C033MM03 ,  5C034DD01 ,  5C034DD03 ,  5C034DD05 ,  5C034DD07 ,  5F033PP07 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ14