特許

J-GLOBAL ID：200903014086409425

半導体化学気相成長装置

発明者： 佐藤 満雄 ,  吉川 清 ,  蓑星 富夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091722
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216033
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 良好な多層薄膜が形成できると共に生産性が向上した半導体化学気相成長装置を提供する。【構成】 縦形円筒状の反応管12内を、原料ガスの供給ノズル17,17側とGaAsウェーハ15を載置するサセプタ14側の上側空間21と下側空間22に二分するように複数の貫通孔23が穿設された整流板20を設けるようにしており、これによって装置の高さを高くすることなく一回に処理数量を多くするようサセプタ14を大きくしても、供給ノズル17,17から供給された原料ガスは整流板20の貫通孔23を通過することによって整流され、サセプタ14上に載置された多数のGaAsウェーハ15の上表面に均等に流れ、また供給ノズル17,17とサセプタ14間の距離が長くならないために原料ガスの切換えが短時間の内に行え、生産性が向上すると共に良好な多層薄膜が形成できる。

請求項（抜粋）：

上端部が閉塞された縦形円筒状の反応管と、この反応管の側壁上部に取着され該反応管の内部に原料ガスを送出する供給ノズルと、この供給ノズルの取着部位より下方に位置して前記反応管内を上下に二分するように設けられた複数の貫通孔が穿設された整流板と、この整流板の下方側に配置されたサセプタと、このサセプタ上に載置されたウェーハを加熱する加熱部とを備えたことを特徴とする半導体化学気相成長装置。