特許

J-GLOBAL ID：200903014086459767

透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット

発明者： 阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-239063
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：

【要約】【課題】 透明プラスチック基板上であっても低抵抗の透明導電性薄膜、そのスパッタリング法による製造方法、及びその製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 透明プラスチック基板上に形成された透明導電性薄膜は、酸化インジウムを主成分とし、スズをSn/Inの原子数比で0.03〜0.14、且つ第三元素(Me)としてイリジウム、ニッケル、ゲルマニウム、ハフニウムから選ばれた少なくとも1種の元素をMe/Inの原子比で0.01〜0.13の割合で含有し、100°C以下の基板温度で成膜して、3×10-4Ω・cm以下の比抵抗が得られる。

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された透明導電性薄膜であって、酸化インジウムを主成分とし、スズをSn/Inの原子数比で0.03〜0.14の割合で含有し、且つ第三元素(Me)としてイリジウム、ニッケル、ゲルマニウム、ハフニウムから選ばれた少なくとも1種の元素をMe/Inの原子比で0.01〜0.13の割合で含有することを特徴とする透明導電性薄膜。

IPC (6件)：

C23C 14/08 ,  B32B 9/00 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (6件)：

C23C 14/08 D ,  B32B 9/00 A ,  C01G 15/00 B ,  C23C 14/34 A ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (33件)：

4F100AA12C ,  4F100AA20C ,  4F100AA33B ,  4F100AB16B ,  4F100AK01A ,  4F100AK54J ,  4F100AK55J ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100EH66B ,  4F100GB41 ,  4F100JG01B ,  4F100JM02B ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029EA08 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03