レジストパターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136434
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069118
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】化学増幅系(ポジ型,もしくはネガ型)レジストのドライエッチング耐性を向上させるとともに、その際のレジストエッチング特性の深さ方向依存性を解消する。【構成】化学増幅系ポジ型レジスト103に通常の方法でコンタクトパターン106を形成し、再度光107による全面露光,ベーク処理して酸触媒反応を充分行ない、このレジスト106に保護基の離脱した領域108を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布された化学増幅系レジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工程において、前記化学増幅系レジストに光露光,露光後ベーク処理,および現像処理を施すことにより、レジストパターンを形成し、前記レジストパターンの全面に感光性の光を照射し、前記レジストパターンにベーク処理を行なうことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40 501

FI (2件)：

H01L 21/30 361 Q , H01L 21/30 361 P

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