特許

J-GLOBAL ID：200903014091629956

窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置

発明者： 内田 憲治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187210
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032370
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層の成長において、表面モフォロジを低下させること無く、高密度で均一な柱状結晶化を行い基板結晶軸に対し均一に配向した低欠陥密度の半導体層を成長させること。【解決手段】 六方晶構造の結晶基板上に窒化物系化合物半導体層からなるバッファ層を成長した後、その層上に誘電体膜を形成して熱処理を行いバッファ層を柱状結晶化し、さらに誘電体膜を除去した後にバッファ層上に窒化物系化合物半導体を再成長する。バッファ層上の窒化物系化合物半導体層で発光ダイオード構造やレーザ共振器構造を形成する場合、その組成は(AlxGa1-x)1-yInyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とするとよい。【効果】 柱状結晶化時のバッファ層表面からの窒素の分解、脱離が抑制できるため、表面状態を悪化させることなく高密度な柱状結晶化が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に成長した窒化物系化合物半導体層上に誘電体膜を形成後熱処理する工程と、該誘電体膜を除去した後の該半導体層上に窒化物系化合物半導体を再成長する工程からなることを特徴とする窒化物系化合物半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C