特許
J-GLOBAL ID：200903014092390370

共有構造相補性金属酸化膜半導体センサアレイのレイアウト

発明者：
金 永 ▲チャン▼

金 永 ▲チャン▼ について

, 
金 利 泰

金 利 泰 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-028663
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222427
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】共有構造相補性金属酸化膜半導体センサアレイのレイアウトを提供する。【解決手段】平面の第1方向に配列された複数個の単位ブロックを具備し、各単位ブロックは、第1方向に配列されたN(Nは、自然数)対のフォトダイオード領域、フォトダイオード領域の一側角に形成され、同一フォトダイオード領域対に属する2個のトランジスタは互いに対向している2N個の伝送トランジスタ、フォトダイオード領域対を構成する2個のフォトダイオード領域と2個の伝送トランジスタとによって共有され、2個のフォトダイオード領域の間に配置されたN個のフローティング拡散ノード、N個のフローティング拡散ノードを連結する少なくとも一つの金属ライン、リセットトランジスタ、及びフローティング拡散ノードの電位をサンプリングするための少なくとも一つのトランジスタを含む信号読み出し回路を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
平面の第1方向に配列された複数個の単位ブロックを具備し、 前記単位ブロックは、 前記第1方向に配列されたN(Nは、自然数)対のフォトダイオード領域と、 前記フォトダイオード領域にそれぞれ対応し、前記対応するフォトダイオード領域の一側角にそれぞれ形成され、同一フォトダイオード領域対に属する2個のトランジスタが互いに対向している2N個の伝送トランジスタと、 前記同一フォトダイオード領域対を構成する2個のフォトダイオード領域と2個の伝送トランジスタとによって共有され、2個のフォトダイオード領域の間に配置されたN個のフローティング拡散ノードと、 前記N個のフローティング拡散ノードを連結する少なくとも一つの金属と、 前記フローティング拡散ノードの電位をリセットするためのリセットトランジスタと、 前記フローティング拡散ノードの電位をサンプリングするための少なくとも一つのトランジスタを含む信号読み出し回路と、を含み、 前記単位ブロックの動作のためのリセットトランジスタ及び前記信号読み出し回路のトランジスタは、前記単位ブロック及び前記単位ブロックに前記第1方向に隣接した単位ブロックに含まれたフォトダイオード領域対の2個のフォトダイオード領域の間の少なくとも2個の空間に分散され配置されることを特徴とする共有構造相補性金属酸化膜半導体アクティブピクセルセンサアレイのレイアウト。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E
Fターム (18件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA20 ,  4M118CA22 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX15 ,  5C024GY31
引用特許：
審査官引用 (7件)
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