特許
J-GLOBAL ID：200903014092959135
圧力センサの素子製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188391
公開番号（公開出願番号）：特開平6-034456
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は力伝達部を介して伝達される圧縮力を所定の信号に変換する圧力センサの素子製造方法に関し、Si単結晶体ウェハ上に素子パターンを高密度に形成して圧力センサ素子の取り数の増加を可能とすることを目的とする。【構成】 Si単結晶体ウェハ110上いっぱいに圧力センサ素子パターン112a、112b、113a、113b、114を設ける。ガラスウェハ120の切捨て部125の表面をエッチングしてパターン逃げ部126と凸部121との間に段差を設ける。Si単結晶体ウェハ110の接合面114に凸部121を対向させて、Si単結晶体ウェハ110とガラスウェハ120を接合する。保持部128を切断して切捨て部125を除去した後、圧力センサ素子パターンに沿って個々の圧力センサ素子に分割する。
請求項（抜粋）：
電極と接合面からなる圧力センサ素子パターンを複数備える圧縮力検出部ウェハと、該圧縮力検出部ウェハの所定の部位に接合される複数の凸部を備える力伝達部ウェハとを接合し、前記力伝達部ウェハを前記凸部に沿って切断し、前記圧縮力検出部ウェハを前記圧力センサ素子パターンに沿って切断することにより、前記圧縮力検出部ウェハの前記接合面上に力伝達部を形成して残すと共に、前記力伝達部ウェハの前記力伝達部間の切捨て部を切捨てることにより製造される圧力センサの素子製造方法において、前記圧縮力検出部ウェハと前記力伝達部ウェハとを接合するときに前記力伝達部ウェハと前記電極とが離間対向するように、力伝達部ウェハ形成時に前記力伝達部ウェハの前記切捨て部にパターン逃げ部を設け、その後に、前記圧縮力検出部ウェハと前記力伝達部ウェハとを接合することを特徴とする圧力センサの素子製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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