特許

J-GLOBAL ID：200903014100442597

液処理方法

発明者： 坂本 和生 ,  錦戸 修一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138756
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319870
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ等の基板を液処理する際に、基板上への処理液に含まれる不溶解物のウエハへの付着を防止しつつ、処理液の残渣を低減する液処理方法を提供する。【解決手段】 基板に処理液を供給した後に、基板を回転させて基板上の処理液を除去する場合に、基板に別の処理液を供給しつつ基板を低速回転させることにより、静電気の発生を抑制して、所定時間保持する第1工程(ステップ4)を行い、次いで、第1工程よりも高速な回転数として基板を所定時間保持し、処理液の残渣を低減する第2工程(ステップ5)を行う。

請求項（抜粋）：

基板に処理液を供給した後に、前記基板を回転させて基板上の処理液を除去する液処理方法であって、前記基板に別の処理液を供給しつつ前記基板を低速回転させることにより、前記基板における静電気の発生を抑制して、前記処理液に含まれる不溶解物の前記基板への付着を抑制することを特徴とする液処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

B05D 1/40 A ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/30 569 C ,  H01L 21/306 R

Fターム (17件)：

2H096AA25 ,  2H096GA17 ,  2H096GA29 ,  4D075AC64 ,  4D075AC94 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DC22 ,  4D075EA05 ,  5F043AA37 ,  5F043BB27 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE09 ,  5F043GG10 ,  5F046LA03 ,  5F046LA08