特許
J-GLOBAL ID:200903014107783799
半導体の製造方法、半導体ウエハ、半導体素子、および半導体製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
春日 讓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-288507
公開番号(公開出願番号):特開平10-135195
出願日: 1996年10月30日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】液体原料の気化が不充分なことに起因した不良品を多量に生産する心配がなく、半導体製造上の生産性を向上することが可能な半導体の製造方法を提供する。【解決手段】真空容器5内のヒータ31に加熱されたサセプタ3上にウェハ4を設置し、気化ノズル21から液体原料27と原料ガスを真空容器5内に供給して成膜を行う。その薄膜の成膜中に、真空容器5内における液化原料27の気化の程度(圧力変化)を高速応答真空計11で監視し、その監視結果に基づき液体原料27の気化が不充分な場合には、即座に条件の変更を行う等の対策を取る。
請求項(抜粋):
液体原料を用いて半導体素子用の基板上に薄膜を成膜する半導体の製造方法において、前記薄膜の成膜される空間で前記液体原料を一旦気化させ、前記液体原料の気化の程度を監視しながら前記基板上に薄膜を成膜して半導体素子を製造することを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (8件):
H01L 21/31
, C23C 14/54
, C23C 16/44
, C23C 16/52
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
FI (7件):
H01L 21/31 B
, C23C 14/54 A
, C23C 16/44 C
, C23C 16/52
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
, H01L 27/10 651
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