特許

J-GLOBAL ID：200903014121850067

マイクロ光電気機械式レーザスキャナ

発明者： デカイ サン ,  マイケル エー ローザ ,  チンウェン ヤー
出願人/特許権者： ゼロックス・コーポレーション
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369543
公開番号（公開出願番号）：特開2002-250886
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 製造が複雑でなく機械的な動作が頑丈であると同時に、寸法がコンパクトで、安価、また分解能が向上したスキャナシステムを提供する。【解決手段】 マイクロ光電気機械式レーザスキャナ40は、シリコン基板層、埋込み酸化物の層、及び単結晶シリコンディバイス層を有する絶縁体シリコン基板から構成される。第1のディバイス層部分は、そこから製造されたマイクロミラー34を有する。レーザが第2のディバイス層部分に接続され、ヒンジ24がこの第1のディバイス層部分と第2のディバイス層部分とを接続する。このヒンジ24はバイモルフ材料で形成され、このバイモルフ材料はヒンジ内24で固有の応力を作り出す。バイモルフ型ヒンジ24は、解放されたマイクロミラー34を水平面から、レーザから放射されたレーザ光42を直接又は間接に反射する位置に移動する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板層と、埋込み酸化物の層と、及び単結晶シリコンディバイス層とを有する絶縁体シリコン基板と、前記単結晶シリコンディバイス層の第1のディバイス層部分と、前記第1のディバイス層部分に形成されたマイクロミラーと、前記単結晶シリコンディバイス層の第2のディバイス層部分と、前記第2のディバイス層部分に取り付けられたレーザと、前記単結晶シリコンディバイス層の前記第1のディバイス層部分と前記第2のディバイス層部分とを結合するヒンジと、前記ヒンジの少なくとも一部に蒸着され、前記マイクロミラー及び前記ヒンジの少なくとも一部を前記埋込み酸化物の層から解放すると共に該解放されたマイクロミラーを水平位置から移動させる固有応力を有するバイモルフ材料の層と、を備えることを特徴とするマイクロ光電気機械式レーザスキャナ。

IPC (2件)：

G02B 26/10 101 ,  B81B 3/00

FI (2件)：

G02B 26/10 101 ,  B81B 3/00

Fターム (3件)：

2H045AB73 ,  2H045AB81 ,  2H045BA18