特許

J-GLOBAL ID：200903014123456641

液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤およびこれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： 平山 拓 ,  高須 亮一 ,  佐藤 充 ,  脇屋 和正 ,  吉田 正昭 ,  田村 弘毅
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-262282
公開番号（公開出願番号）：特開2006-048075
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いることにより、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いて前記保護膜を除去する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含むことを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤。

IPC (4件)：

G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/11

FI (6件)：

G03F7/38 501 ,  H01L21/30 575 ,  H01L21/30 515D ,  H01L21/30 568 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/11 501

Fターム (19件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB41 ,  2H025DA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA11 ,  2H096EA27 ,  2H096GA05 ,  5F046AA28 ,  5F046JA22