特許
J-GLOBAL ID：200903014127681968
半導体ウェハ研磨終点検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074866
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270397
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハの研磨工程において、配線パターン上の薄膜の研磨終点検出手段を提供する。【解決手段】 まず、赤外光源5から照射された赤外光14は、バンドパスフィルタ6と偏光素子7を通過して波長8μm付近のp偏光の光となり、照射レンズ8と照射マスク9により、半導体ウェハ1表面のSiO2 膜12へ所定の角度をもって所定面積で照射される。次に、SiO2 膜12を透過し、下層パターン13上で反射された赤外光14は、赤外受光素子11でその光量が測定される。このとき、SiO2 膜12は、結晶の格子振動により、斜めに入射された波長8μm付近の光のp偏光成分を強く吸収するため、この受光量は赤外光14が透過したSiO2 膜12の膜厚に対応する。従って、終点検出回路15は、この受光量が所定のしきい値を超えた時点を研磨終点と判定する。
請求項（抜粋）：
所定寸法の検出用の穴を有する研磨盤と、前記研磨盤の上にあって、前記検出用の穴と対応する位置に所定寸法の検出用の穴を有する研磨布と、研磨対象である半導体ウェハ表面の薄膜による吸収が発生する特定波長の赤外光を、前記検出用の穴を通し、前記半導体ウェハ表面の薄膜に向けて所定の角度で照射する赤外光照射源と、前記赤外光の照射光軸上にあって、前記赤外光を前記半導体ウェハ表面の薄膜へ所定のサイズで照射する照射手段と、前記半導体ウェハ表面の薄膜を透過し、前記半導体ウェハ表面の薄膜の下層に形成された下層パターン上で反射された前記赤外光を集光する受光レンズと、前記受光レンズで集光された前記赤外光を受光し、その光量を測定して受光量信号を出力する赤外光量測定手段と、該赤外光量測定手段に接続され、前記受光量信号を受けて、前記受光量信号が所定のしきい値を越えたときに研磨終点信号を出力する終点検出手段とを含むことを特徴とする、半導体ウェハ研磨終点検出装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
H01L 21/304 321 E
, B24B 37/04 D
