特許
J-GLOBAL ID：200903014145236181
ジアルキルナフタレンの異性化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057366
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271486
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 ジアルキルナフタレン異性体の一種以上を、表-1の面間隔dにX線回折ピークを与えるゼオライト系触媒の存在下で加熱処理するジアルキルナフタレンの異性化方法。【効果】 不均化や族間異性化等の副反応を最小限に抑制し、ジアルキルナフタレンの族内での異性化が主として起り、所望の異性体を効率よく得られる。
請求項（抜粋）：
ジアルキルナフタレン異性体の少なくとも一種を、下記の表-1の面間隔dにX線回折ピークを与えるゼオライト系触媒の存在下で加熱処理することを特徴とするジアルキルナフタレンの異性化方法。【表1】
IPC (4件)：
C07C 15/24
, B01J 29/28
, C07C 5/27
, C07B 61/00 300
