特許

J-GLOBAL ID：200903014145433432

半導体装置の製造方法

発明者： 宮下 守也 ,  豊丸 陽子
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330198
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハ表面を原子的レベルで平坦化する技術を提供する。【構成】 所定のミスオリエンテーション・アングル以下のシリコンウェーハを弗酸・過酸化水素水に浸す、あるいは弗酸水溶液中で紫外線を照射した後、1150°C以上の高温水素雰囲気中に30分間以上保持する。この処理によりウェーハ表面には均一なステップ-テラス構造が形成され、その表面に形成された酸化膜の絶縁破壊特性も向上する。

請求項（抜粋）：

(100)面からの傾斜角度を0.2°以下にしたシリコンウェーハを弗酸と過酸化水素水混合液に浸した後、1150°C以上の温度に昇温し水素雰囲気中で所定の時間保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/324 Z