ショットキーダイオードおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166863
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017197
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】ショットキーダイオードにおいて、半田接続強度が大きなバリア電極を得る。【解決手段】無電解Niめっきにより形成し、n型半導体領域(1)側からNiSi(21),Ni2Si(22)の2種類のニッケルシリサイド膜上にNi(23)電極を積層する。【効果】半田接続しても特性劣化がなく、しかも機械的強度の強いショットキーダイオードを得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体領域の一方の主表面から内部に延び、該第1半導体領域を包囲する第2導電型の第2半導体領域が選択的に形成され、該第1半導体領域との間にショットキー接合が形成され、第2半導体領域との間にオーミック接続されるバリア電極を有するショットキーダイオードにおいて、バリア電極として、NiまたはCrを金属原子MとするMSi構造,M2Si構造の2層の金属シリサイドを積層し、さらにMからなる電極を形成させたことを特徴とするショットキーダイオード。

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