特許

J-GLOBAL ID：200903014151725453

p型窒化ガリウムの成長方法

発明者： 中村 修二 ,  長濱 慎一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042125
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232451
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 p型ドーパントをドープしたGaNを何の後処理も必要とせず、成長中に低抵抗なp型とすることができる成長方法を提供する。【構成】 有機金属化合物気相成長法により、一般式InXAlYGa1-X-YN(但し017/cm3〜3×1020/cm3の範囲でドープしたGaNを成長させる。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物気相成長法により、一般式InXAlYGa1-X-YN(但し017/cm3〜3×1020/cm3の範囲でドープしたGaNを成長させることを特徴とするp型窒化ガリウムの成長方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205