特許

J-GLOBAL ID：200903014155647155

半導体レーザ素子

発明者： 山下 茂雄 ,  黒田 崇郎 ,  岡 聡彦 ,  小野 佑一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245639
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090695
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】波長1μm帯で発振する埋込み型であって、高信頼性を有し低しきい値の半導体レーザ素子を得ることを目的とする。【構成】第1半導体クラッド層4と第2半導体クラッド層6とに挾まれた活性層5を有する半導体レーザ素子において、上記クラッド層の少なくとも一部をInxGa1-xAsyP1-yで構成し、上記活性層5をInuGa1-uAs量子井戸層およびInvGa1-vAs量子障壁層で構成した量子井戸構造とする。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の第1半導体クラッド層と、第2の導電型の第2半導体クラッド層、およびそれら第1、第2のクラッド層に挾まれた活性層を有する半導体レーザ素子において、上記半導体クラッド層の少なくとも一部が、InxGa1-xAsyP1-yにより構成されており、かつ上記活性層がInuGa1-uAs量子井戸層およびInvGa1-vAs量子障壁層より構成される、量子井戸構造を有することを特徴とする半導体レーザ素子。