特許
J-GLOBAL ID：200903014162167061
液晶表示用大型基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175425
公開番号（公開出願番号）：特開平6-018926
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 単結晶半導体基板を用いた透過型アクティブマトリックス方式による液晶表示用大型基板を提供する。【構成】 液晶アレイ部のMOSトランジスタ用基板となる複数の単結晶半導体膜3a,3a',...は、透明基板としての石英基板1上にシリコン酸化膜2を介して接合して形成する。各単結晶半導体膜3a,3a',...夫々には、ポリシリコン5,5',...によってゲート部を作成し、イオン注入を行って活性化アニール処理した後にMOSトランジスタを形成するアイランド部を残して除去し、ゲート線,ソース線8および透明電極9を形成してMOSトランジスタを作成する。このように、大きさに限度のある単結晶半導体基板を複数枚透明基板に接合することによって透過型アクティブマトリックス方式による液晶表示用大型基板を形成する。
請求項（抜粋）：
アクティブマトリックス型の液晶表示用大型基板であって、透明基板に接合された複数の単結晶半導体膜と、上記単結晶半導体膜上に形成された能動素子を備えたことを特徴とする液晶表示用大型基板。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/02
