担持触媒を用いた単一層カーボンナノチューブの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 安藤克則 , 高松武生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-571430
公開番号（公開出願番号）：特表2006-511437
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

単一層カーボンナノチューブを成長させる方法は、鉄及びモリブデンなどの触媒性金属、及び酸化マグネシウム担体材料を含む触媒を調製すること、及び単一層カーボンナノチューブを製造するための十分な温度かつ十分な接触時間で、前記触媒と気体状炭素含有供給原料を接触させることを含む。鉄とモリブデンの重量比は、約2:1から約10:1の範囲であり、かつこれらの金属はMgOの約10重量%まで含まれていてもよい。この触媒は硫化されていてもよい。メタンが適切な炭素含有供給材料である。この方法は、輸送反応器、流動層反応器、移動層反応器及びそれらを組み合わせた機器などの反応器内で、バッチ、連続又は半連続方式で行うことができる。また、この方法は、マグネシア、ジルコニア、シリカ及びアルミナなどの担体上に少なくとも1種の第VIB族又は第VIIIB族の金属を含む触媒であって、硫化された触媒を用いて、単一層カーボンナノチューブを製造することを含む。

請求項（抜粋）：

単一層カーボンナノチューブの製造方法であって、 (a)酸化マグネシウム(MgO)粒子上に鉄(Fe)及びモリブデン(Mo)を含む触媒性金属の担持触媒であって、触媒が、鉄、モリブデン及び酸化マグネシウムの前駆体を燃焼させることにより調製され、形成された担持触媒を提供すること、及び (b)単一層カーボンナノチューブを含む炭素製品を製造するための十分な温度かつ十分な接触時間で、前記触媒と炭素含有供給原料を含む気体流とを接触させることを含む方法。

IPC (6件)：

C01B 31/02 , B01J 23/88 , B01J 27/051 , B01J 37/20 , B01J 37/12 , B01J 37/16

FI (6件)：

C01B31/02 101F , B01J23/88 M , B01J27/051 M , B01J37/20 , B01J37/12 , B01J37/16

Fターム (68件)：

4G146AA11 , 4G146AA12 , 4G146AB01 , 4G146AD19 , 4G146AD21 , 4G146AD26 , 4G146BA08 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC01 , 4G146BC08 , 4G146BC19 , 4G146BC22 , 4G146BC25 , 4G146BC33 , 4G146BC34 , 4G146BC41 , 4G146BC44 , 4G146CA01 , 4G146CA02 , 4G146CA15 , 4G146DA03 , 4G146DA28 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA01A , 4G169BA02A , 4G169BA05A , 4G169BA06A , 4G169BA06B , 4G169BA20A , 4G169BA21C , 4G169BA37 , 4G169BB10C , 4G169BB12C , 4G169BB16C , 4G169BC57A , 4G169BC59A , 4G169BC59B , 4G169BC65A , 4G169BC66A , 4G169BC66B , 4G169BC67A , 4G169BC67B , 4G169BE06C , 4G169BE08C , 4G169BE13C , 4G169BE17C , 4G169BE21C , 4G169CB81 , 4G169DA08 , 4G169EA01X , 4G169EA01Y , 4G169EB18X , 4G169EB18Y , 4G169EC30 , 4G169ED06 , 4G169FA01 , 4G169FB05 , 4G169FB29 , 4G169FB35 , 4G169FB43 , 4G169FB50 , 4G169FC02 , 4G169FC03 , 4G169FC07 , 4G169FC08

引用文献：

審査官引用 (1件)

Controlled growth of single-walled carbon nanotubes by catalytic decomposition of CH4 over Mo/Co/MgO

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