特許

J-GLOBAL ID：200903014170170012

スパッタリング方法とその装置

発明者： 北畠 顕弘 ,  山田 敬治
出願人/特許権者： 三容真空工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127432
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319779
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【課題】 内部応力の少ない膜を成膜するのに適し、特に大型基板の成膜に適するスパッタリング方法とその装置を提供することを課題とする。【解決手段】 スパッタ用チャンバ内に設けられた直線状の2ラインに沿って基板の設けられた保持台をそれぞれ逆方向に移送し、それぞれ両端側で保持台を他方のラインに移送することで、保持台を周回させながら基板両面にスパッタを行うスパッタリング方法であって、スパッタする際に、スパッタ粒子の入射角をランダム状態にしてスパッタすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

スパッタ用チャンバ内に設けられた直線状の2つのラインに沿って基板の設けられた保持台をそれぞれ逆方向に移送し、それぞれその両端側で保持台を他方のラインに移送することで、保持台を周回させながら基板両面にスパッタを行うスパッタリング方法であって、スパッタする際、ターゲット面を基板に対して一定の角度をもって取り付けることにより、スパッタ粒子の入射角をランダム状態にしてスパッタすることを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/34 V ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S

Fターム (13件)：

4K029BB04 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DC16 ,  4K029KA03 ,  4M104BB14 ,  4M104DD39 ,  4M104HH03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB36 ,  5F103DD28 ,  5F103RR10