特許

J-GLOBAL ID：200903014170602389

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 岡本 國美
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-343090
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159606
出願日： 2006年12月20日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】偏光光を取り出すことができ、その発光波長の制御も容易な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】GaN基板1は、c面以外の主面(たとえばm面)を持つ。このGaN基板1上に、有機金属化学気相成長法によって、GaN半導体層2が形成される。GaN半導体層2は、GaN基板1側から順に、N型コンタクト層21、第1量子井戸層22、GaNファイナルバリア層25、P型電子阻止層23、P型コンタクト層24、および第2量子井戸層26を積層した積層構造を有している。第2量子井戸層26は、第1量子井戸層22よりも発光波長が長い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

c面以外の積層主面を有するIII族窒化物半導体積層構造を備えた窒化物半導体発光素子であって、 前記III族窒化物半導体積層構造が、 c面以外の所定の結晶面の主面を有し、第1波長の光を発生する第1活性層と、 前記所定の結晶面の主面を有し、前記第1波長とは異なる第2波長の光を発生する第2活性層とを含む、窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 F ,  H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CB27