特許

J-GLOBAL ID：200903014171843274

混成集積回路装置およびその製造方法

発明者： 越後 真 ,  小野 生幸 ,  辻 忠典 ,  冨樫 寛崇
出願人/特許権者： アキタ電子株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003966
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 GaAsFETの動作点の設定精度を高くする。【解決手段】 モジュール基板に回路的に2段にGaAsFETが組み込まれてパワーアンプモジュールが構成されてなる混成集積回路装置であって、前記各GaAsFETのゲートに並列にゲートバイアス調整用抵抗が設けられ、前記ゲートバイアス調整用抵抗は抵抗調整済のトリマブル抵抗で構成されている。前記電力増幅器はいずれも複数となるGaAsFET,チップ抵抗,チップコンデンサによって携帯電話用送信部電力増幅器となっている。前記トリマブル抵抗はアイドル電流のモニターによってトリミングされる。

請求項（抜粋）：

モジュール基板に回路的に多段にGaAsFETが組み込まれて電力増幅器が構成されてなる混成集積回路装置であって、前記各GaAsFETのゲートに並列にゲートバイアス調整用抵抗が設けられ、前記ゲートバイアス調整用抵抗は抵抗調整済のトリマブル抵抗で構成されていることを特徴とする混成集積回路装置。

IPC (8件)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H03F 3/193 ,  H04B 1/04

FI (5件)：

H01L 25/04 Z ,  H03F 3/193 ,  H04B 1/04 Z ,  H01L 27/04 V ,  H01L 27/06 F