特許

J-GLOBAL ID：200903014174066201

半導体装置および光電変換装置

発明者： 小池 稔子 ,  望月 千織
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142008
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343953
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 ゲート配線101と信号配線102とで形成する容量の低減とゲート配線101、信号配線102の各配線抵抗の低減を同時に実現する。【解決手段】 薄膜電界効果トランジスタ(TFT)202を有する半導体装置において、TFT202に駆動電位を印加するためのゲート配線101とTFT202の出力を読み出すための信号配線102とが離間して重なる重なり部における各配線の少なくとも1方の配線幅を、重なり部以外の領域における配線幅よりも狭く形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜電界効果トランジスタ(TFT)を有する半導体装置において、前記TFTに駆動電位を印加するためのゲート配線と前記TFTの出力を読み出すための信号配線とが離間して重なる重なり部における前記各配線の少なくとも1方の配線幅が、前記重なり部以外の領域における前記配線幅よりも狭く形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/146 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/09

FI (8件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 21/90 W

Fターム (45件)：

2H092JB22 ,  2H092JB26 ,  2H092JB31 ,  2H092JB35 ,  2H092JB38 ,  2H092NA28 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB11 ,  4M118FB26 ,  4M118GA10 ,  5C094AA13 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB12 ,  5C094FB19 ,  5F033MM21 ,  5F033NN21 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F088AA02 ,  5F088AB05 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08 ,  5F088LA08 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110EE25 ,  5F110EE37 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110HM19