特許
J-GLOBAL ID：200903014183836150
レジスト構造及びパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078339
公開番号（公開出願番号）：特開平5-241349
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 レジスト上に塗布する層を任意の材料から選択できるようにして、反射防止膜を用いる技術を有効に実用化できるようにし、かつ、CEL法などをレジストの種類の限定によらずに有効に利用できるようにした技術を提供すること。【構成】 ?@基板1上に、表面をアルカリ処理3した、少なくとも酸発生剤を含むレジスト2と、光に対し漂白作用または退色作用を有する有機材料4とを積層形成したレジスト構造。?A基板上に、アルカリ可溶性樹脂と溶解抑止剤と酸発生剤を含むレジストを形成する工程と、レジスト上に、中性のポリマー(反応防止層)を形成する工程と、中性のポリマー上に表面反射防止膜を形成する工程を含むパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
基板上に、表面をアルカリ処理した、少なくとも酸発生剤を含むレジストと、光に対し漂白作用または退色作用を有する有機材料とを積層形成したレジスト構造。
IPC (3件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/26 512
, H01L 21/027
H01L 21/30 361 S
, H01L 21/30 361 T
