特許

J-GLOBAL ID：200903014188940451

有機金属気相成長装置用二重ゾーン反応器

発明者： 山本 暁
出願人/特許権者： 有限会社マイクロシステム
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103023
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256860
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】 有機金属気相成長装置において、成膜ゾーンで、複数のガスを直線状にウェーハに照射して成膜し、照射を受けながら通り過ぎたウェーハが、同一容器内に隣接して設置されたアニールゾーンで、放射エネルギーにより改質され、成膜工程とアニール工程を繰返すことで、高品質で均一な3元以上の化合物を大気圧以下で成膜する。【解決手段】 成膜ゾーン1とアニールゾーン2を障壁3を隔てて同一の反応容器9内に水平に隣接して設置し、ウェーハ4は成膜ゾーン1とアニールゾーン2の間で往復移動することにより成膜とアニールを交互に行う。有機金属ガスは2台の並列に設置した直線状のガス照射ノズル19から成膜ゾーン1に供給され、アニールゾーン2から流入する反応ガスと混合し成膜する。アニールゾーン2においてウェーハ4は、アニール用放射源23からの放射エネルギーで改質する。

請求項（抜粋）：

反応室を形成する反応容器であって、前記反応容器が成膜ゾーンとアニールゾーンとから成り、前記成膜ゾーンと前記アニールゾーンが機械的に接合している前記反応容器と、第1面と第2面とを有するウェーハを保持するウェーハ保持手段であって、前記ウェーハ保持手段が前記成膜ゾーンと前記アニールゾーンとの間で往復移動する駆動手段と、前記成膜ゾーンのガス処理手段であってガス照射ノズルが前記第1面にガスを照射しまた前記成膜ゾーンからガスを排気するガス処理手段と、前記アニールゾーンのガス処理手段であってガスシャワーノズルが前記第1面にガスを照射しまた前記アニールゾーンからガスを排気するガス処理手段と、前記第1面より前記ウェーハを改質する改質手段と、前記第2面より前記ウェーハを加熱する加熱手段とより構成されていて、前記ウェーハが前記成膜ゾーンで成膜され、前記反応容器内に設置された前記アニールゾーンに移動し、前記アニールゾーンで前記ウェーハが改質され、成膜工程と改質工程を繰返すことで、3元以上の化合物を成膜する有機金属気相成長装置用の反応器。

IPC (3件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205

Fターム (33件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BA50 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030KA08 ,  4K030KA12 ,  4K030KA24 ,  5F045AA04 ,  5F045AC16 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045EB02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE07 ,  5F045EF02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF15 ,  5F045EK13 ,  5F045EM10 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F045HA25