特許

J-GLOBAL ID：200903014190274434

銅又は銅合金のエッチング方法

発明者： 宮▲崎▼ 博史 ,  日野出 憲治 ,  武田 健一 ,  後藤 康 ,  組橋 孝生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112296
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298184
出願日： 1996年05月07日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】銅のサイドエッチング及び銅膜中への塩素の侵入を防止する。【解決手段】加熱により基板の温度を230°Cから270°Cの範囲に保ちながら、0.5mTorrから20mTorrの範囲の圧力で塩素を含むガスを銅表面に供給し、塩素ガスから生じる反応性プラズマに銅膜を晒して、銅膜をエッチング加工する。【効果】サイドエッチングが防止でき、選択性の良好なエッチングが可能となるので、高加工精度の微細銅配線を供給することができる。また銅中への塩素の侵入を防止できるので、腐食を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板上に銅又は銅合金膜を形成する工程と、前記基板温度を、実質的に前記銅又は銅合金膜中への拡散による塩素の侵入を防止でき、かつ前記銅又は銅合金のサイドエッチングを実質的に防止できる温度範囲内に保ち、塩素ガス単体もしくは塩素とVIII族元素から構成される混合ガスを0.5mTorrから20mTorrの範囲の圧力で、銅又は銅合金膜に供給する工程と、前記塩素ガス単体もしくは塩素とVIII族元素から構成される混合ガスにより生じる反応性プラズマに、前記銅又は銅合金膜を晒すことにより、前記銅又は銅合金膜をエッチング加工することを特徴とする銅又は銅合金膜の加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/88 D