特許
J-GLOBAL ID：200903014195798750
ウエハの検査方法、集束イオンビーム装置及び透過電子ビーム装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001002131
公開番号（公開出願番号）：WO2002-075806
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月26日
要約：
半導体素子、撮像素子、表示素子等の製造において、製造途上にあるウエハの堆積膜膜厚、パターン寸法、パターン重ね合わせ精度、ホールの導通状態などを検査するためのインライン検査方法及びその装置である。‘TEM/STEMによる試料観測’を‘FIB装置による試料作製’と組み合せ、FIB装置では、予め登録された試料作製用レシピ(37)に従って、ウエハ上の指定された複数箇所を対象とし、試料切出し個所を自動で位置決めし、試料を自動で切出し、切出した試料をTEMあるいはSTEMで用いる観測用試料ホルダに自動で搭載するとともに、その試料をTEMあるいはSTEMで観測するためのレシピ(88)を作成する、一方、TEMあるいはSTEMでは、FIB装置で作成されTEMあるいはSTEMに入力された観測用レシピに従って、観測用試料ホルダに搭載された複数の試料を対象とし、観測領域を自動的に位置合わせし、所定の試料画像を取得し観測データを得る。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程におけるウエハの検査方法において、
集束イオンビーム装置に検査対象のウエハを装填する工程と、
予め読み込んだ試料作製用レシピに従って前記ウエハ上の試料切出し個所を自動位置決めする工程と、
前記ウエハから集束イオンビームによって所定の試料を切り出す工程と、
切り出した試料を観測用試料ホルダに搭載する工程と、
切り出した試料の前記観測用試料ホルダ上の搭載位置に関する情報と当該試料の検査条件に関する情報とを関連付けて記載した観測用レシピを作成する工程と、
透過電子ビーム装置に前記観測用試料ホルダを装填する工程と、
透過電子ビーム装置で前記観測用レシピを読み込む工程と、
読み込んだ観測用レシピに従って前記観測用試料ホルダ上の試料を自動位置決めする工程と、
位置決めした試料から前記観測用レシピに従って所定の観測データを取得する工程とを含むことを特徴とするウエハの検査方法。
IPC (6件)：
H01L21/66
, G01N21/956
, H01J37/20
, H01J37/26
, H01J37/317
, H01L21/302
H01L21/66 Z
, H01L21/66 C
, G01N21/956 A
, H01J37/20 Z
, H01J37/26
, H01J37/317 D
, H01L21/302 201B
