特許
J-GLOBAL ID：200903014200741338
プラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-263201
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163201
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】リアクタ内部の温度と壁面への反応性生物の堆積状態を制御して、エッチング特性に経時的な変化を生じさせることなく、プロセスの再現性・信頼性を、長期間にわたって低コストで維持できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理室100内に設けられたUHF帯アンテナ110から放射される電磁波と、処理室100の周囲に設置された磁場形成手段101で形成される磁場との相互作用により、処理室内部にプラズマを発生してウエハWを処理するプラズマ処理装置において、処理室100の側壁102にジャケット103が交換可能に保持され、側壁内面の温度をウエハよりも十分低い温度で一定に制御する。また、リアクタ内部でバイアス印加が可能な構成部品であるリング116、試料台リング132については、その少なくとも一部分にバイアスが印加される構造を設け、かつ部品全体の熱容量を十分に小さくする。
請求項（抜粋）：
真空処理室と、プラズマ発生装置と、処理室にガスを供給する処理ガス供給手段と、該真空処理室内で処理される試料を保持する電極と、該真空処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマエッチング装置において、前記処理ガスにプラズマ放電により重合膜が形成されるような組成のガスを少なくとも1種類以上含み、前記処理室内でプラズマ放電により前記処理ガスをプラズマ化し、前記処理室の内部でプラズマに接する側壁面及び上壁面の一部を、前記処理される試料の温度よりも低い所定温度に制御して、前記処理室内側壁面及び上壁面の一部に強固な重合膜を形成させることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05H 1/46 A
, H01L 21/302 101 H
5F004AA15
, 5F004BA09
, 5F004BA13
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004BB23
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DB03
