特許

J-GLOBAL ID：200903014201425480

GaN系半導体レーザ素子及びその作製方法

発明者： 中島 博 ,  山口 恭司 ,  簗嶋 克典
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179311
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 従来のエアリッジ型GaN系半導体レーザ素子より、閾値電流値が低く、かつ動作電圧も低いGaN系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本GaN系半導体レーザ素子60は、(11-20)面を主面とし、<1-100>±10°の方向にリッジ構造61を備えたn型GaN基板62上に、n-AlGaNクラッド層64、n-GaNガイド層66、InGaN系量子井戸活性層68、p-GaNガイド層70、p-AlGaNクラッド層72、及びp-GaNコンタクト層74の積層構造を備えている。n-クラッド層は、(0001)面を有する上面部64aと、(11-22)面の傾斜面を有する傾斜面部64bと、傾斜部の下端から(11-20)面に沿って延びる平坦部64cとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。n-ガイド層、活性層、p-ガイド層、及びp-クラッド層は、n-クラッド層に沿って同じ形状で形成されている。p側電極78がp-GaNコンタクト層上に形成されている。

請求項（抜粋）：

基板の主面と同じ面方位の頂部を有するストライプ状リッジ部を基板主面上に備える基板と、基板のリッジ部上にエピタキシャル成長し、リッジ部の頂部上に成膜され、主面と同じ面方位を成長面とする上面部と、リッジ部の側壁上に成膜され、所定の面方位の成長面を有する傾斜面部と、リッジ部脇の基板主面上に成膜され、主面と同じ面方位を成長面とする平坦部とを有する第1のGaN系化合物半導体層と、第1の化合物半導体層上に第1の化合物半導体層に沿って実質的に同じ形状で積層され、活性層を含むGaN系化合物半導体層の積層構造とを備えていることを特徴とするGaN系半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610

FI (2件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610

Fターム (9件)：

5F073AA14 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23