特許

J-GLOBAL ID：200903014205003017

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 山守 秋喜
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331969
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173195
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜上にITO膜をパターニングし、ソース・ドレイン電極を形成し、その上の活性層であるアモルファスシリコン層とオーミックコンタクトを形成するために、ITO膜表面にPH3 (ホスフィン)プラズマドーピング法でリンを導入する構造の順スタガ型薄膜トランジスタにおいて、信頼性が高く、製造コストの低い薄膜トランジスタを製造する。【解決手段】透明絶縁基板1上に金属膜パターン2が形成され、金属膜パターン全体が窒化シリコン3の層間絶縁膜で覆われ、その上に、表面にリンが導入された透明導電膜から成るソース電極およびドレイン電極4,4が互いに分離して形成され、半導体膜6、窒化シリコン7のゲート絶縁膜、ゲート電極8が形成される。さらに、金属膜パターン2をバックゲート電極2aとしての作用をも行わせる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に金属膜パターンが形成され、該金属膜パターン全体が窒化シリコンの層間絶縁膜で覆われ、その上に、表面にリンが導入された透明導電膜から成るソース電極およびドレイン電極が互いに分離して形成され、前記ソース電極およびドレイン電極のそれぞれの少なくとも一部上並びに前記ソース電極-ドレイン電極間に半導体膜が形成され、該半導体膜上に、これと同一パターンの窒化シリコンのゲート絶縁膜が形成され該ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/318

FI (6件)：

H01L 29/78 616 K ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 619 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-081064
  
• 特開昭58-016580
  
• 特開昭58-016570