特許
J-GLOBAL ID:200903014208833223

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-240138
公開番号(公開出願番号):特開2001-068794
出願日: 1999年08月26日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 異なる2波長の半導体レーザの発光点が一定量離間する配置においても、両者の強度分布中心を事実上ほぼ一致させることが出来る半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 この発明の半導体レーザ装置は、第1,第2の半導体レーザの発光点を近接、並置した半導体レーザ装置であり、前記第1,第2の半導体レーザの出射方向の少なくとも一方を、光学装置の光軸に対し所定角度傾斜させたものである。ここに、前記出射方向の傾斜角は3種の方法により決定される。例えば、光学装置の最終射出瞳における、前記第1の半導体レーザの出射光による光強度分布と、前記第2の半導体レーザの出射光による光強度分布が、ともに前記最終射出瞳の中心に対して、略対称となるように決定される。
請求項(抜粋):
少なくとも、第1の半導体レーザと、第2の半導体レーザとを備え、前記第1,第2の半導体レーザの発光点を近接、並置した半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ装置を組込んでなる光学装置の最終射出瞳における、前記第1の半導体レーザの出射光による光強度分布と、前記第2の半導体レーザの出射光による光強度分布が、ともに前記最終射出瞳の中心に対して、略対称となるように、前記第1,第2の半導体レーザの出射方向の少なくとも一方を、前記光学装置の光軸に対し、所定角度傾斜させて設置したことを特徴とする、半導体レーザ装置。
IPC (2件):
H01S 5/40 ,  G11B 7/125
FI (2件):
H01S 5/40 ,  G11B 7/125 A
Fターム (18件):
5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119BB02 ,  5D119BB03 ,  5D119EC26 ,  5D119EC27 ,  5D119EC45 ,  5D119FA05 ,  5D119FA35 ,  5D119JA43 ,  5D119KA02 ,  5F073AB06 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073BA05 ,  5F073FA16 ,  5F073FA23
引用特許:
審査官引用 (4件)
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