特許

J-GLOBAL ID：200903014213848956

半導体レーザ,及びその製造方法

発明者： 元田 隆 ,  加藤 学
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088434
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 電子の反射効率に優れたMQB構造層を備えた高性能な半導体レーザ,及びその製造方法を提供する。【構成】 活性層13とp-クラッド層15の間に設けられたInPバリア層2bとInGaAsウエル層1からなる多重量子障壁(MQB)層14の、InPバリア層2bとInGaAsウエル層1の界面のうちの活性層13側の界面に、GaAsバリア層2aを設けた。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体材料からなる第1のバリア層と、該第1のバリア層上に形成された該第1のバリア層とV族元素が異なるIII-V族化合物半導体材料からなる第2のバリア層とにより構成される2層構造のバリア層と、上記第1のバリア層とV族元素が同じであるIII-V族化合物半導体材料からなるウエル層とが交互に積層されてなる多重量子障壁(Multi Quantum Barrier:MQB)層を備えたことを特徴とする半導体レーザ。