特許
J-GLOBAL ID：200903014217761855
バンプ電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025619
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219404
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】本発明は電界めっき法を用いたバンプ電極の形成方法に関し、電界めっき法により形成されるバンプ電極の高さを均一化することを課題とする。【解決手段】バンプ電極を形成するシリコンウエハ1をめっき液25が装填されためっき処理カップ21内に浸漬し、めっき液25を噴流ノズル22からシリコンウエハ1の中央に噴流させると共に、めっき処理カップ21内に配設されたアノード電極23により電界印加することによりシリコンウエハ1にバンプ電極を電界めっき法を用いて形成するバンプ電極の形成方法において、前記シリコンウエハ1のバンプ電極形成面と異なる面がめっき液25に触れない状態を維持しつつ、シリコンウエハ1をめっき液25の液面より深い位置に浸漬させ、前記電界がシリコンウエハ1の周辺部に回り込む状態で電界めっきを行う。
請求項（抜粋）：
バンプ電極を形成する基板をめっき液が装填されためっき処理槽内に浸漬し、前記めっき液を前記基板中央に噴流させると共に、前記めっき処理槽内に配設されたアノードにより電界印加することにより前記基板にバンプ電極を電界めっき法を用いて形成するバンプ電極の形成方法において、前記基板のバンプ電極形成面と異なる面が前記めっき液に触れない状態を維持しつつ、前記基板を前記めっき液の液面より深い位置に浸漬させ、前記電界が前記基板の周辺部に回り込む状態で電界めっきを行うことを特徴とするバンプ電極の形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/92 604 B
, C25D 7/12
, H01L 21/92 604 Z
