特許

J-GLOBAL ID：200903014219508839

分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 阿部 博明
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094518
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264890
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 凹凸による回折格子が形成された分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層への電流供給効率を高め、しきい電流値を低下させる。【構成】 n型基板12、n型クラッド層13、活性層14、p型クラッド層15、p型コンタクト層16および電極18を有し、p型コンタクト層16からp型クラッド層15にかけて規則的な凹部20が形成されて、共振器となる回折格子が構成されている。p型クラッド層15では活性層14の発振領域α以外の部分にn型電流狭窄層22が接して設けられている。電極18からp型クラッド層15に与えられる電流は、n型電流狭窄層とのp-n接合の電位障壁により左右に分散することがなく、凹部20が形成されていない部分でも、電流Iが発振領域αに効率よく与えられる。よって、しきい電流値を低下させることが可能である。

請求項（抜粋）：

活性層と、この活性層を挟むn型の半導体層およびp型の半導体層と、両半導体層の表面に形成された電極と、活性層の発振領域以外の部分にて一方の半導体層に一定ピッチで規則的に形成された凹部とを有し、一方の電極から前記発振領域に至る電流がp型の半導体層内に拡散するのを防止するn型電流狭窄層が、前記p型の半導体層に接して設けられていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。