特許

J-GLOBAL ID：200903014223034728

半導体装置

発明者： 知識 茂雄
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191845
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021815
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】ブランソン洗浄処理により、配線やゲート電極を構成する高融点金属シリサイド膜に膜減が生じ、配線またはゲート電極の抵抗が高くなる。【解決手段】シリコン基板1上に酸化シリコン膜2を介して形成された、第1の多結晶シリコン膜3とタングステンシリサイド膜4とからなる配線の上面及び側面を多結晶シリコン膜5,6で覆う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1のシリコン膜と高融点金属シリサイド膜からなる2層構造の配線を有する半導体装置において、前記配線の上面及び側面は第2のシリコン膜により覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/88 Q

Fターム (30件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104FF22 ,  4M104FF24 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  5F033AA12 ,  5F033BA02 ,  5F033BA04 ,  5F033BA15 ,  5F033BA24 ,  5F033BA34 ,  5F033BA37 ,  5F033CA04 ,  5F033DA02 ,  5F033DA07 ,  5F033DA14 ,  5F033DA33 ,  5F033DA36 ,  5F033EA02 ,  5F033EA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-304979
  
• 特開昭64-039064
  
• 特開昭62-281466