特許

J-GLOBAL ID：200903014224764193

薄膜半導体装置とその製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び液晶表示装置

発明者： 品川 陽明 ,  河内 玄士朗 ,  三村 秋男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021759
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219905
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜半導体装置を製造する際に、他の製造工程に悪影響を及ぼさない手法で結晶性半導体の結晶粒径を拡大させる。【解決手段】レーザ4を照射する半導体の表面を加工して、レーザ照射時に下地基板に平行な温度勾配の成分がある一方向に生じる形状にする。冷却時に結晶成長はこの温度勾配に平行な方向に起、結晶は下地基板に平行に成長し、垂直方向に成長する場合と異なり下地酸化シリコン膜2との界面や表面で成長が止められることはないので、結晶粒径が1μmと大きい高品質な多結晶シリコン5が形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体にエネルギービームを照射して溶融結晶化させて結晶性半導体を作製する薄膜半導体装置の製造方法において、エネルギービーム照射前の半導体表面の形状をレーザ照射時に半導体の下地基板に対して平行な温度勾配の成分がある一方向に生じる形状に加工することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G