特許
J-GLOBAL ID：200903014227710019
真空成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264191
公開番号（公開出願番号）：特開平6-088232
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 成膜装置における膜厚制御を長時間連続して可能にする。【構成】 真空槽2の上部両側部に配設した光源21及びホトマル22を備えた原子吸光モニタ20による測定値と設定値に基づいて蒸発源電源26を制御して放電電流を制御する。
請求項（抜粋）：
金属Tiを蒸発源としプラズマで活性化されたO2ガスを反応ガスとして用いるTiO2膜を成膜する真空成膜方法において、この真空成膜方法は蒸発しているTi原子固有の吸光波長を照射する光源及び前記Ti原子内で電子が励起されることによって生じる光の吸収度合を計測するホトマルとを備えた原子吸光モニタを用い、この原子吸光モニタの計測結果に応じて制御装置により成膜速度を制御するようにしたことを特徴とするTiO2膜の真空成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/54
, C23C 14/08
, C23C 14/32
