特許

J-GLOBAL ID：200903014228512857

発光ダイオードアレイおよびその製造方法

発明者： 荻原 光彦 ,  谷中 真澄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130834
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330623
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 高密度で高性能な発光ダイオードアレイおよびその製造方法を提供すること。【構成】 第1導電型の化合物半導体基板11上に、拡散源膜、アニールキャップ膜を順次に形成した後、熱拡散により、第2導電型の拡散領域13を形成する。その後、公知のリソグラフィー技術を用いてアニールキャップ膜および拡散源膜をパターニングする。その後、露出している拡散領域13の部分に、不純物の拡散深さより深くイオンを注入して絶縁領域21を形成する。その後、基板11上に設けられたすべての膜を除去した後、層間絶縁膜25、p側電極27およびn側電極29を形成した。このようにして製造した発光ダイオードアレイでは、拡散領域13は絶縁領域21によって分離されている。そして、拡散領域13と絶縁領域21との境界面23は基板11の表面に対して実質的に垂直である。

請求項（抜粋）：

第1導電型の化合物半導体基板の表面に互いに離間して配列された複数の第2導電型の拡散領域を具えてなる発光ダイオードアレイにおいて、前記拡散領域は前記化合物半導体基板の表面に設けられた絶縁領域によって隣接する拡散領域から分離されていて、前記拡散領域と前記絶縁領域との境界面は前記基板の表面に対し実質的に垂直となっていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。