半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059795
公開番号（公開出願番号）：特開平6-335162
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】静電保護用の回路素子形成時に特殊な製造工程を必要とせず、かつこれら回路素子の破損や劣化を防止する。【構成】既存の第1,第2のダイオードD10,D20のほかに、第1及び第2の電源端子Tp1,Tp2間に、順方向電圧の合計が電源電圧より高い電圧となる数の第3のダイオードD31〜D3nを電源電圧に対して順方向となるように直列接続する。【効果】静電エネルギーを、第1〜第3のダイオードの順方向電流によって放出でき、ダイオードのブレークダウンやツェナー降服等を用いないので、結晶のダメージをなくし、ダイオードの破損や劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

入力信号に応答して所定の動作,処理を行う内部回路と、この内部回路に外部から電源を供給する第1及び第2の電源端子と、前記内部回路と外部回路との間の信号授受の中継を行う信号端子と、この信号端子と前記第1の電源端子との間に前記第1及び第2の電源端子間の電源電圧に対して逆バイアスとなるように接続された第1のダイオードと、前記信号端子と前記第2の電源端子との間に前記電源電圧に対して逆バイアスとなるように接続された第2のダイオードと、前記第1及び第2の電源端子間に前記電源電圧に対して順バイアスとなるようにかつ順方向電圧の合計が前記電源電圧より高くなる数だけ直列接続された複数の第3のダイオードとを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H02H 9/04 , H01L 27/04 , H03K 17/08

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭56-129530
特開昭57-101525

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