特許

J-GLOBAL ID：200903014233393262

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 義明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338502
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜に設けた開口部を薄いAl膜で埋め込む。【構成】 シリコン酸化膜2上にチタニウム膜3と窒化チタニウム膜4を順次スパッタ法により形成する。次にECRスパッタ法により10-4torr付近の圧力で第1の配線膜(Al合金)5を形成後、従来のスパッタ法にて第2の配線膜(Al合金)6を形成し、次に基板を400〜550°Cに加熱して配線膜5と6を溶融し、そのAl合金を開口部8に流動させ穴埋めし、配線膜7を開口部8内に形成して素子間又は配線間を接続する。

請求項（抜粋）：

第1の配線膜形成工程と、第2の配線膜形成工程と、配線仕上工程とを有し、基板の絶縁膜に設けられた素子間あるいは配線間の接続用開孔部にAl配線を形成する半導体装置の製造方法であって、第1の配線膜形成工程は、絶縁膜の表面及び開孔部の底部に、第1のアルミニウムまたはアルミニウム合金の配線膜を10-4torr付近の圧力の下にECRスパッタ法により形成する工程であり、第2の配線膜形成工程は、前記開孔部の底部及び内側面に、第2のアルミニウムまたはアルミニウム合金の配線膜を10-3torr付近の圧力の下にスパッタ法により形成する工程であり、配線仕上工程は、基板を加熱して前記アルミニウムまたはアルミニウム合金を溶融し、その溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を前記開孔部内に充填して該開孔部を穴埋めし、配線を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R