特許
J-GLOBAL ID：200903014235445065
レジストパターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380953
公開番号（公開出願番号）：特開2004-212563
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】レジスト膜中での酸発生剤や酸発生剤から生じた酸の濃度が小さくなることを抑制し、矩形形状を有するレジストパターンを形成することのできるレジストパターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の上に二酸化シリコン膜2、反射防止膜3および酸発生剤を含む化学増幅型のレジスト膜4を形成する。レジスト膜4に所定のマスクを介して露光光を照射することによって、露光部で酸発生剤から酸を発生させた後、酸発生剤または酸性物質を含む加熱雰囲気下において、レジスト膜4に加熱処理を行う。その後、レジスト膜4に現像処理を行ってレジストパターンを形成する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
被加工基板の上に酸発生剤を含む化学増幅型のレジスト膜を形成する第1の工程と、
前記レジスト膜に所定のマスクを介して露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる第2の工程と、
酸発生剤を添加した加熱雰囲気中に前記第2の工程を終えた前記被加工基板を入れて前記レジスト膜に加熱処理を行う第3の工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行う第4の工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/38 511
, H01L21/30 568
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096FA03
, 2H096GA08
, 5F046KA10
