特許

J-GLOBAL ID：200903014241562316

電圧駆動型半導体素子の駆動方法

発明者： 石山 泰士 ,  阿部 康
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251476
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096830
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】電圧駆動型半導体素子のオン時の内部損失を低減させる該素子の駆動方法を提供する。【解決手段】電圧駆動型半導体素子としてのIGBTQ1 のゲート駆動回路に電圧可変回路VC1 を挿設し、この電圧可変回路VC1 により電流検出器CTで検出されるIGBTQ1 のコレクタ電流Icが0≦Ic<Ic* (電流基準値)のときには順バイアス電圧をvFB1 とし、Ic≧Ic* のときには順バイアス電圧vFB2 とし、さらにvFB1 <vFB2 とすることにより、コレクタ電流Icが0≦Ic<Ic* のときの駆動損失を減らすことで、IGBTQ1 のオン時の内部損失(通流損失+駆動損失)を低減させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電圧駆動型半導体素子をオンさせるために該半導体素子のゲート端子に供給するゲート電圧を、前記電圧駆動型半導体素子の主端子間に流れる電流値に基づいて任意に変化させるようにしたことを特徴とする電圧駆動型半導体素子の駆動方法。

IPC (1件)：

H02M1/08

FI (1件)：

H02M1/08 C

Fターム (5件)：

5H740BA12 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11