特許

J-GLOBAL ID：200903014243157346

化合物半導体の結晶成長方法

発明者： 本多 由明
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063248
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264456
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上に転位密度の小さい化合物半導体を形成する。【構成】 GaAs層4を形成するための原料である、V族原料と III族原料の少なくとも1つを有機金属とし、V族原料と III族原料の供給比を変化させて、n-GaAs層3a及びp-GaAs層3bで構成された化合物半導体多層膜3を、シリコン基板1とGaAs層4との間に形成する。【効果】 シリコン基板1とGaAs層2の界面より生じる転位を折り曲げて、GaAs層4の表面に伸びる貫通転位を低減できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に化合物半導体膜を結晶成長させる、化合物半導体の結晶成長方法において、前記化合物半導体膜を形成するための原料である、V族原料と III族原料の少なくとも1つを有機金属とし、前記V族原料と前記 III族原料の供給比を変化させて、少なくとも1組のp型化合物半導体膜及びn型化合物半導体膜を含む化合物半導体多層膜を、前記シリコン基板と前記化合物半導体膜との間に形成することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18