特許
J-GLOBAL ID:200903014250273440
容量素子を含む電子回路装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-335951
公開番号(公開出願番号):特開2005-108874
出願日: 2003年09月26日
公開日(公表日): 2005年04月21日
要約:
【課題】単位面積当たりの容量を大きくできる容量素子を含む電子回路装置を提供する。【解決手段】集積回路内の多層配線により形成される複数の容量素子を含む電子回路装置において、容量素子を多層配線の面内方向及び垂直方向に組み合わせられた一対の櫛型電極101,102と、櫛型電極101,102と容量素子の外部との容量結合を遮断する遮断電極104とにより実現する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
集積回路内の多層配線により形成される複数の容量素子を含む電子回路装置において、
前記容量素子は、前記多層配線の面内方向及び垂直方向に組み合わせられた一対の櫛型電極と、前記櫛型電極と前記容量素子の外部との容量結合を遮断する遮断電極とを有する電子回路装置。
IPC (3件):
H01L21/822
, H01L21/768
, H01L27/04
FI (3件):
H01L27/04 C
, H01L27/04 D
, H01L21/90 B
Fターム (13件):
5F033MM21
, 5F033VV03
, 5F033VV05
, 5F033VV10
, 5F033XX23
, 5F038AC04
, 5F038AC05
, 5F038AC14
, 5F038BH10
, 5F038CA16
, 5F038CD13
, 5F038DF03
, 5F038EZ20
引用特許:
審査官引用 (1件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-002410
出願人:株式会社日立製作所
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