表面処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257644
公開番号（公開出願番号）：特開2000-073175
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】 300MHz〜1GHzの低UHF帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。【解決手段】ガス供給系5からガスを供給しながら、排気系6で排気して、処理容器3内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器1で低UHF帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器2内でTM010モードで共振させる。隔壁板20に形成された長孔25を通してマイクロ波を放電室4内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板30の表面に、エッチングやCVDなどの処理を行なう。隔壁板20の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板20と基板載置台31との間のギャップは、基板30の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。

請求項（抜粋）：

300MHzから1GHzの範囲の低UHF帯のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段で発生したマイクロ波がTM010モードで共振するように形成された円筒形の空洞共振器と、マイクロ波発生手段から空洞共振器にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、空洞共振器からマイクロ波が放射されるように空洞共振器に接続された気密な処理容器と、処理容器内にガスを供給するガス供給系と、処理容器を排気する排気系と、処理容器内に配置されて被処理体を保持する保持手段とを備え、処理容器の内部の放電室が実質的に円筒形状であり、この円筒形状の放電室の、被処理体に対向する端面の中央部分が、外周付近よりも、被処理体から離れる方向に窪んでいることを特徴とする表面処理装置。

IPC (7件)：

C23C 16/511 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01J 37/317 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (7件)：

C23C 16/50 E , C23C 16/50 Z , C23F 4/00 D , H01J 37/317 B , H01L 21/205 , H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

Fターム (27件)：

4K030FA01 , 4K030HA07 , 4K030JA03 , 4K030JA18 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 4K057DA11 , 4K057DD01 , 4K057DG20 , 4K057DM02 , 4K057DM18 , 4K057DM29 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5C034CC07 , 5C034CD10 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB14 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F045AA09 , 5F045BB02 , 5F045DP02

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